Energetik und Kinetik von Si Dimeren auf Ge(100)

W. Wulfhekel (Keynote speaker), B.-J. Hattink (Contributor), Zandvliet, H. J. W. (Contributor), G. Rosenfeld (Contributor), Poelsema, B. (Keynote speaker)

Activity: Talk or presentationOral presentation

Description

Wir haben mittels STM das Anfagsstadium des Wachstum von Si auf Ge(100) bei Raumtemperatur untersucht. Vier verschiedene Dimerkonfigurationen wurden beobachtet und mittels STM-Bildern beider Polarität identifiziert. Dimere, die zentriert auf den Dimerreihen des Substrats liegen, rotieren und diffundieren entlang der Dimerreihen bei Raumtemperatur. Dimere zwischen den Dimerreihen des Substrats lassen sich in zwei Klassen einteilen: Einzelne Dimere vom Typ D, die thermisch stabil sind, und metastabile Gruppen von Dimeren vom Typ C, die zu kleinen Inseln kollabieren können. Mittels Ausheilexperimenten und STM-Filmen wurde die Energetik und Dynamik der verschiedenen Konfigurationen untersucht und Diffusion von Dimeren entlang sowie senkrecht zu den Dimerreihen des Substrats gefunden. Abschätzungen für die einzelnen Diffusionsbarrieren werden gegeben.
Period23 Mar 1998
Event titleDPG Frühjahrstagung 1998 Regensburg: (DPG Spring Meeting)
Event typeConference
LocationRegensburg, Germany
Degree of RecognitionInternational

Keywords

  • METIS-132477