Interface engineering of spin-tunnel contacts to silicon - towards silicon-based spintronic devices

B.C. Min

    Research output: ThesisPhD Thesis - Research UT, graduation UT

    90 Downloads (Pure)

    Abstract

    Dit proefschrift gaat over spin-elektronica componenten gebaseerd op silicium en beschrijft onderzoek naar de belangrijkste aspecten en knelpunten voor de ontwikkeling van silicium spintronica componenten, en de oplossingen daarvoor. Door eigenschappen van magnetische materialen en halfgeleiders te combineren en gebruik te maken van de spin van het elektron, geeft halfgeleider spintronica nieuwe mogelijkheden voor de ontwikkeling van elektronische componenten. Een voorbeeld is de Si spin-MOSFET, een spintransistor met een Si kanaal en twee ferromagnetische contacten, waarbij de geleiding door het kanaal tussen de contacten kan worden beïnvloed via de relatieve oriëntatie van de magnetisatie van beide contacten. Silicium is het aangewezen materiaal voor een spin-transitor, daar het de bestaande halfgeleider technologie domineert, en bovendien kan worden verwacht dat de levensduur van de spin van elektonen in Si zeer lang is.
    Original languageUndefined
    Awarding Institution
    • University of Twente
    Supervisors/Advisors
    • Lodder, J.C., Supervisor
    • Jansen, R., Advisor
    Thesis sponsors
    Award date31 Aug 2007
    Place of PublicationZutphen, The Netherlands
    Publisher
    Print ISBNs978-90-365-2543-5
    Publication statusPublished - 31 Aug 2007

    Keywords

    • IR-57923
    • EWI-11222
    • METIS-246037

    Cite this