Interface engineering of spin-tunnel contacts to silicon - towards silicon-based spintronic devices

B.C. Min

Research output: ThesisPhD Thesis - Research UT, graduation UTAcademic

44 Downloads (Pure)

Abstract

Dit proefschrift gaat over spin-elektronica componenten gebaseerd op silicium en beschrijft onderzoek naar de belangrijkste aspecten en knelpunten voor de ontwikkeling van silicium spintronica componenten, en de oplossingen daarvoor. Door eigenschappen van magnetische materialen en halfgeleiders te combineren en gebruik te maken van de spin van het elektron, geeft halfgeleider spintronica nieuwe mogelijkheden voor de ontwikkeling van elektronische componenten. Een voorbeeld is de Si spin-MOSFET, een spintransistor met een Si kanaal en twee ferromagnetische contacten, waarbij de geleiding door het kanaal tussen de contacten kan worden beïnvloed via de relatieve oriëntatie van de magnetisatie van beide contacten. Silicium is het aangewezen materiaal voor een spin-transitor, daar het de bestaande halfgeleider technologie domineert, en bovendien kan worden verwacht dat de levensduur van de spin van elektonen in Si zeer lang is.
Original languageUndefined
Awarding Institution
  • University of Twente
Supervisors/Advisors
  • Lodder, J.C., Supervisor
  • Jansen, R., Advisor
Thesis sponsors
Award date31 Aug 2007
Place of PublicationZutphen, The Netherlands
Publisher
Print ISBNs978-90-365-2543-5
Publication statusPublished - 31 Aug 2007

Keywords

  • IR-57923
  • EWI-11222
  • METIS-246037

Cite this

Min, B. C. (2007). Interface engineering of spin-tunnel contacts to silicon - towards silicon-based spintronic devices. Zutphen, The Netherlands: Wohrmann Print Service.
Min, B.C.. / Interface engineering of spin-tunnel contacts to silicon - towards silicon-based spintronic devices. Zutphen, The Netherlands : Wohrmann Print Service, 2007. 164 p.
@phdthesis{fa64339c52034f97a2be9b9f0f62bead,
title = "Interface engineering of spin-tunnel contacts to silicon - towards silicon-based spintronic devices",
abstract = "Dit proefschrift gaat over spin-elektronica componenten gebaseerd op silicium en beschrijft onderzoek naar de belangrijkste aspecten en knelpunten voor de ontwikkeling van silicium spintronica componenten, en de oplossingen daarvoor. Door eigenschappen van magnetische materialen en halfgeleiders te combineren en gebruik te maken van de spin van het elektron, geeft halfgeleider spintronica nieuwe mogelijkheden voor de ontwikkeling van elektronische componenten. Een voorbeeld is de Si spin-MOSFET, een spintransistor met een Si kanaal en twee ferromagnetische contacten, waarbij de geleiding door het kanaal tussen de contacten kan worden be{\"i}nvloed via de relatieve ori{\"e}ntatie van de magnetisatie van beide contacten. Silicium is het aangewezen materiaal voor een spin-transitor, daar het de bestaande halfgeleider technologie domineert, en bovendien kan worden verwacht dat de levensduur van de spin van elektonen in Si zeer lang is.",
keywords = "IR-57923, EWI-11222, METIS-246037",
author = "B.C. Min",
year = "2007",
month = "8",
day = "31",
language = "Undefined",
isbn = "978-90-365-2543-5",
publisher = "Wohrmann Print Service",
school = "University of Twente",

}

Interface engineering of spin-tunnel contacts to silicon - towards silicon-based spintronic devices. / Min, B.C.

Zutphen, The Netherlands : Wohrmann Print Service, 2007. 164 p.

Research output: ThesisPhD Thesis - Research UT, graduation UTAcademic

TY - THES

T1 - Interface engineering of spin-tunnel contacts to silicon - towards silicon-based spintronic devices

AU - Min, B.C.

PY - 2007/8/31

Y1 - 2007/8/31

N2 - Dit proefschrift gaat over spin-elektronica componenten gebaseerd op silicium en beschrijft onderzoek naar de belangrijkste aspecten en knelpunten voor de ontwikkeling van silicium spintronica componenten, en de oplossingen daarvoor. Door eigenschappen van magnetische materialen en halfgeleiders te combineren en gebruik te maken van de spin van het elektron, geeft halfgeleider spintronica nieuwe mogelijkheden voor de ontwikkeling van elektronische componenten. Een voorbeeld is de Si spin-MOSFET, een spintransistor met een Si kanaal en twee ferromagnetische contacten, waarbij de geleiding door het kanaal tussen de contacten kan worden beïnvloed via de relatieve oriëntatie van de magnetisatie van beide contacten. Silicium is het aangewezen materiaal voor een spin-transitor, daar het de bestaande halfgeleider technologie domineert, en bovendien kan worden verwacht dat de levensduur van de spin van elektonen in Si zeer lang is.

AB - Dit proefschrift gaat over spin-elektronica componenten gebaseerd op silicium en beschrijft onderzoek naar de belangrijkste aspecten en knelpunten voor de ontwikkeling van silicium spintronica componenten, en de oplossingen daarvoor. Door eigenschappen van magnetische materialen en halfgeleiders te combineren en gebruik te maken van de spin van het elektron, geeft halfgeleider spintronica nieuwe mogelijkheden voor de ontwikkeling van elektronische componenten. Een voorbeeld is de Si spin-MOSFET, een spintransistor met een Si kanaal en twee ferromagnetische contacten, waarbij de geleiding door het kanaal tussen de contacten kan worden beïnvloed via de relatieve oriëntatie van de magnetisatie van beide contacten. Silicium is het aangewezen materiaal voor een spin-transitor, daar het de bestaande halfgeleider technologie domineert, en bovendien kan worden verwacht dat de levensduur van de spin van elektonen in Si zeer lang is.

KW - IR-57923

KW - EWI-11222

KW - METIS-246037

M3 - PhD Thesis - Research UT, graduation UT

SN - 978-90-365-2543-5

PB - Wohrmann Print Service

CY - Zutphen, The Netherlands

ER -

Min BC. Interface engineering of spin-tunnel contacts to silicon - towards silicon-based spintronic devices. Zutphen, The Netherlands: Wohrmann Print Service, 2007. 164 p.