SPA-LEED-kontroliertes Schichtwachstum auf Halbleitern - neue Ansätze zur Datenerfassung

Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceedingConference contributionAcademicpeer-review

Original languageUndefined
Title of host publicationVerhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft
Place of PublicationRegensburg
Pages680-680
Number of pages1
Publication statusPublished - 27 Mar 2000

Keywords

  • METIS-130194

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Esser, M., Wormeester, H., & Poelsema, B. (2000). SPA-LEED-kontroliertes Schichtwachstum auf Halbleitern - neue Ansätze zur Datenerfassung. In Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft (pp. 680-680). Regensburg.
Esser, M ; Wormeester, Herbert ; Poelsema, Bene. / SPA-LEED-kontroliertes Schichtwachstum auf Halbleitern - neue Ansätze zur Datenerfassung. Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft. Regensburg, 2000. pp. 680-680
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SPA-LEED-kontroliertes Schichtwachstum auf Halbleitern - neue Ansätze zur Datenerfassung. / Esser, M; Wormeester, Herbert; Poelsema, Bene.

Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft. Regensburg, 2000. p. 680-680.

Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceedingConference contributionAcademicpeer-review

TY - GEN

T1 - SPA-LEED-kontroliertes Schichtwachstum auf Halbleitern - neue Ansätze zur Datenerfassung

AU - Esser, M

AU - Wormeester, Herbert

AU - Poelsema, Bene

PY - 2000/3/27

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KW - METIS-130194

M3 - Conference contribution

SP - 680

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BT - Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft

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Esser M, Wormeester H, Poelsema B. SPA-LEED-kontroliertes Schichtwachstum auf Halbleitern - neue Ansätze zur Datenerfassung. In Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft. Regensburg. 2000. p. 680-680