Wachstumskinetik von Si auf Ge(100): Pyramiden und wie man sie vermeidet

Wir haben mittels STM das Wachstum von Si auf Ge(100) zwischen 300 und 600K untersucht. Für Bedeckungen unter 1ML wird zweidimensionales Wachstum beobachtet, was jedoch bei höheren Bedeckungen in dreidimensionales Wachstm übergeht. Dies wird auf eine verschwindende Stufenbarriere an Einfachstufen in Kombination mit einer signifikanten Stufenbarriere an Doppelstufen zurückgeführt. Durch Variation der Depositionsparameter während des Wachstums einer jeden Lage kann die Formation von Doppelstufen in dicken Filmen unterdrückt werden und flache Filme bei niedrigen Temperaturen hergestellt werden. Das entwickelte Verfahren eignet sich auch für die Herstellung von Ge/Si Übergittern bei niedrigen Temperaturen, sodass Interdiffusion der beiden Materialien gegenüber Wachstum bei hohen Temperaturen vermindert werden kann.