Werkwijze voor het elektrochemisch etsen van een p-type halfgeleidermateriaal, alsmede substraat van althans gedeeltelijk halfgeleidermateriaal (Multi-walled micro-channels)

R.W. Tjerkstra; Johannes G.E. Gardeniers; Albert van den Berg

Werkwijze voor het elektrochemisch etsen van een p-type halfgeleidermateriaal, alsmede substraat van althans gedeeltelijk halfgeleidermateriaal (Multi-walled micro-channels)

R.W. Tjerkstra (Inventor)
, Johannes G.E. Gardeniers (Inventor)
, Albert van den Berg (Inventor)

University of Twente

Research output: Patent

Original language	Undefined
Patent number	1e nederland nr. 100
Priority date	12/05/98
Publication status	In preparation - 12 May 1998

Keywords

METIS-118327

Cite this

@misc{f43e9aaab9df4de4a5147ea2c0b6abd3,

title = "Werkwijze voor het elektrochemisch etsen van een p-type halfgeleidermateriaal, alsmede substraat van althans gedeeltelijk halfgeleidermateriaal (Multi-walled micro-channels)",

keywords = "METIS-118327",

author = "R.W. Tjerkstra and Gardeniers, \{Johannes G.E.\} and \{van den Berg\}, Albert",

note = "Aanvraag octrooi door UT-er ; 1e nederland nr. 100",

year = "1998",

month = may,

day = "12",

language = "Undefined",

type = "Patent",

}

TY - PAT

T1 - Werkwijze voor het elektrochemisch etsen van een p-type halfgeleidermateriaal, alsmede substraat van althans gedeeltelijk halfgeleidermateriaal (Multi-walled micro-channels)

AU - Tjerkstra, R.W.

AU - Gardeniers, Johannes G.E.

AU - van den Berg, Albert

N1 - Aanvraag octrooi door UT-er

PY - 1998/5/12

Y1 - 1998/5/12

KW - METIS-118327

M3 - Patent

M1 - 1e nederland nr. 100

ER -